以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分

主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干

n型Ga2O3薄膜的MOCVD同质外延焦腾，陈威，李政达，刁肇悌，党新明，陈沛然，董鑫*吉林大学

基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学

氧空位在异质外延-Ga2O3薄膜MSM型光电探测器中的影响许锐，马晓翠，梅洋，应磊莹，张保平*，龙浩*厦门大学

GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司