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2023│九峰山实验室袁俊:新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
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2023│国瑞升苑亚斐:碳化硅衬底材料研磨抛光耗材和工艺技术
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2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
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2023│西安交通大学王来利:碳化硅功率半导体多芯片封装技术
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2023│科友半导体赵丽丽:8英寸碳化硅衬底产业化进展
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2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙:大尺寸SiC单晶的研究进展
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2023│华南师范大学尹以安:具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
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2023│晶格领域张泽盛:液相法碳化硅单晶生长技术研究
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2023│小鹏汽车杨恒:碳化硅器件在新能源车电驱动系统的应用
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2023│日本大阪大学陈传彤:SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
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2023│瞻芯电子曹峻:碳化硅车载功率转换解决方案
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2023│大连理工大学王德君: 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
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2023│ 加拿大Crosslight首席研发专家Ahmed NASHED:基于半导体激光器件的高级光学建模与仿真
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2023│博睿光电梁超:面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
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2023│台湾成功大学李清庭:GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
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2023│日本国立材料研究所桑立雯:GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
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2023│氮矽科技朱仁强:增强型功率氮化镓器件结构设计进展
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2023│南方科技大学于洪宇:Si基GaN器件及系统研究与产业前景
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2023│Yuri MAKAROV:利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
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2023│中国科学院半导体所闫果果:6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
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2023│南京大学修向前:基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术
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2023│中国科学院苏州纳米所司志伟:助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
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2023│六方氮化硼研究进展
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2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例
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2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰:高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
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2023│厦门大学徐翔宇:氧化镓缺陷研究,合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
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2023│清软微视周继乐:化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术
第九届国际第三代半导体论坛(
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)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)厦门胜利闭幕
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2023│化合物半导体激光器与异质集成技术分会召开
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2023│碳化功率器件及封装技术分会新提升
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