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镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布
4英寸
(100)面单晶衬底参数
新突破!
4英寸
铸造法氧化镓单晶研制获得成功
国内首批!铭镓半导体实现
4英寸
氧化镓晶圆衬底技术突破
山东大学
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HVPE氮化镓单晶生长炉采购废标公告
山东大学
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HVPE氮化镓单晶生长炉采购竞争性磋商公告
国产
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氧化镓晶圆衬底技术获突破!
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现
4英寸
氧化镓晶圆衬底技术突破
4英寸
氧化镓单晶生长与性能分析
山东大学成功研制高质量
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氧化镓晶体
中国科学院物理研究所张广宇课题组实现
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晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续薄膜可控逐层外延生长
河北半导体研究所高楠:国产
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GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
瀚镓半导体将在浦东建设
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GaN中试线
日本Novel Crystal宣布量产
4英寸
氧化镓(Ga2O3) 晶圆
配备Mini-LED显示屏的1
4英寸
MacBook Pro预计将于2021年投入生产
苹果
将在
显示屏
机型
预计
这与
好消息!在科研人员的不断努力之下,碳化硅
4英寸
晶片实现量产!
科研人员
碳化硅
4英寸
晶片
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