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西电大
郝跃院士
团队常晶晶教授等在国际顶级期刊上发表重要科研成果
郝跃院士
:发展半导体,常州有优势!
郝跃院士
:进一步启动集成电路领域国家科技重大专项!
西电
郝跃院士
团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展
西安电子科技大学
郝跃院士
团队:氧化镓功率器件研究成果
正式发布!
郝跃院士
主编《中国集成电路与光电芯片2035发展战略》
郝跃院士
主编《中国集成电路与光电芯片2035发展战略》 正式发布!
郝跃院士
:功率密度与辐照问题是氮化物半导体的两大挑战
郝跃院士
:功率密度与辐照问题是氮化物半导体的两大挑战
郝跃院士
团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
郝跃院士
领衔的宽禁带半导体教师团队入选第二批“全国高校黄大年式教师团队”
西电
郝跃院士
团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
中国科学院
郝跃院士
将出席第四届全国宽禁带半导体会议并将做大会报告
中国科学院
郝跃院士
第四届
全国
宽禁带
半导体会议
郝跃院士
将陕西省最高科学技术奖200万元奖金全部捐出
郝跃
院士
陕西省
最高科学技术奖
郝跃院士
领衔,宽禁带半导体国家工程中心常州分中心将落户常州武进
郝跃院士
:宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展
郝跃
院士
宽禁带
超宽禁带
半导体
器件
郝跃院士
:化合物半导体电子器件研究与进展
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