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长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布
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镓仁半导体获批浙江省博士后工作站
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利,提高开关速度与线性区能力
时代电气IGBT制氢电源设备累计交付突破100台
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利,提高了发光器件生产良率
致瞻科技斩获欧洲头部
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数亿元战略订单
Polar与瑞萨电子达成硅基氮化镓技术授权协议
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