首页 > 新闻资讯 > 搜索
标准 |《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布
 评论 ⋅  2025-05-26 14:18
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳：E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究
 评论 ⋅  2025-05-19 11:02
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷：GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
 评论 ⋅  2025-05-09 10:36
CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜军：P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
 评论 ⋅  2025-05-08 09:40
CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
 评论 ⋅  2025-04-30 14:19
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
标准 | 《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》形成委员会草案
 评论 ⋅  2025-04-07 10:00
材料深一度｜一篇带你了解GaN HEMT最全产品情况
 评论 ⋅  2025-03-19 16:42
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
UIS应力下GaN HEMT在线测试方法征求意见
 评论 ⋅  2025-02-07 15:52
投资949亿韩元 Chemtronics将开始建设第8代OLED蚀刻工厂
 评论 ⋅  2024-10-30 17:25
CASA立项GaN HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法1项团体标准
 评论 ⋅  2024-08-08 16:23
标准 | 2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-07-26 11:01
新微半导体“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-06-12 16:15
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-22 15:07
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧：肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
 评论 ⋅  2024-04-17 16:46
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
性能位居前列！ 芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
 评论 ⋅  2023-11-13 10:33
CASICON西安前瞻| 中国科学院半导体研究所副研究员张连:GaN功率型HBT与毫米波HEMT研究进展
 评论 ⋅  2023-07-23 14:48
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
标准 | CASA立项《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
 评论 ⋅  2022-11-21 15:27
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:26
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部