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瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-21 15:58
苏州长光华芯取得模式调控半导体发光结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2025-04-16 19:27
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的电学性能
 评论 ⋅  2025-04-08 17:34
北方华创“晶舟结构、半导体热处理设备及其控制方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-07 19:05
江西誉鸿锦取得亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法专利
 评论 ⋅  2025-04-02 17:39
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
大橙光电新能源汽车光源灯具项目有序推进，主体结构预计3月底封顶
 评论 ⋅  2025-03-12 09:13
新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-19 11:45
日月光半导体取得一种封装结构专利，简化了制造工艺
 评论 ⋅  2025-02-18 14:28
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-05 15:01
汉道精密年加工1.8亿件半导体零部件项目混凝土主体结构全部封顶
 评论 ⋅  2025-01-21 09:24
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
河北同光半导体申请具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜专利，实现碳化硅薄膜高效剥离且无损伤
 评论 ⋅  2024-12-27 14:54
总投资27.75亿元！科大硅谷高新孵化园一期主体结构完成全面封顶
 评论 ⋅  2024-12-25 08:51
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:33
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
优炜芯紫外LED产业基地项目一期主体结构封顶
 评论 ⋅  2024-12-13 14:17
芯联集成“一种半导体结构及其形成方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-11 16:07
顺义第三代等先进半导体产业标准化厂房项目（二期）主体结构顺利封顶
 评论 ⋅  2024-12-11 08:45
芯谷第三代半导体设备项目主体结构正式封顶
 评论 ⋅  2024-11-22 11:33
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
联华电子申请半导体结构以及其形成方法专利，具有特定的结构和元件排列
 评论 ⋅  2024-11-06 14:22
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
总投资30亿 黄埔这一半导体项目主体结构将迎来全面封顶
 评论 ⋅  2024-11-03 13:35
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
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