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北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
4000多次试错，终于探索出全球第三条蓝光LED技术路线
江西南昌硅衬底发光二极管蓝光
 评论 ⋅  2024-01-15 08:59
美国Bolb公司董事长张剑平博士：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:48
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:34
《硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范》等四项硅衬底LED行业标准正式发布
 评论 ⋅  2022-10-25 16:54
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
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