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连科半导体8吋/12吋SiC电阻炉及工艺成套技术取得
突破
国家工程研究中心最新
突破
:磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
厦门大学-厦门市未来显示技术研究院团队在钙钛矿窄带光电探测器研究中取得重要
突破
中科院DUV光源新
突破
!
实现技术
突破
!我国成功研制出这一光子芯片
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面
突破
“RS困境” 实现高性能光电探测
北京大学王剑威、龚旗煌课题组在连续变量光量子芯片领域取得重大
突破
中国太空科技新
突破
!首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件
突破
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得
突破
性进展
哈尔滨工业大学在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新
突破
中欣晶圆12英寸BCD硅片产品取得技术
突破
1万伏!我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程
突破
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,
突破
技术极限并提高能效
至芯半导体取得重大
突破
,推出高光效UV器件
我国在太阳能电池领域取得新
突破
电子科大国家工程技术研究中心在二维单相多铁方向取得重大
突破
北京大学电子学院陈景标研究团队在原子钟领域取得重要
突破
Nature | 康奈尔大学:光电功能器件最新
突破
九峰山实验室再次在硅光子集成领域取得
突破
性进展
中国科大在仿生光电神经感知器件领域取得新
突破
我国首次
突破
沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
国内高校实现Micro LED技术
突破
,涉及深紫外、光通讯
我国科学家实现材料
突破
,可用于开发低功耗芯片
IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造
突破
晶钻科技同质外延单晶金刚石新
突破
西电在逻辑运算器件领域取得重要
突破
积塔半导体BCD复合高压隔离器平台开发团队:积沙成塔,用“芯”取得新
突破
中国科学家在半导体领域获
突破
登上《自然》杂志
Nano Lett.∣高效载流子倍增实现紫外光电探测器EQE
突破
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