首页 > 新闻资讯 > 搜索
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
“一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法”发明专利发布
 评论 ⋅  2023-05-22 17:13
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
 评论 ⋅  2023-03-14 09:23
SiC MOSFET的Vgs门极电压的选取及其影响
 评论 ⋅  2022-06-06 15:16
联系客服 投诉反馈  顶部