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宁波材料所在超宽禁带半导体基日盲紫外探测领域取得系列进展
 评论 ⋅  2025-03-25 19:16
KAUST实现千伏级蓝宝石衬底AlN肖特基二极管
 评论 ⋅  2025-02-17 09:10
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-14 14:46
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-30 15:35
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 10:41
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-12-17 16:04
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩显示应用的激光巨量转移技术
 评论 ⋅  2024-10-28 10:14
SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩显示应用的激光巨量转移技术
 评论 ⋅  2024-10-27 22:26
Nature Photonics | 基于深紫外microLED显示的无掩膜光刻技术与应用示范
 评论 ⋅  2024-10-15 17:19
基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用
 评论 ⋅  2024-08-01 17:37
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
复旦大学微电子学院器件工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子器件
 评论 ⋅  2024-02-21 09:45
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,能带工程，光电探测器,深圳大学,垂直异质集成
 评论 ⋅  2024-02-01 11:30
中国科学家提出基于信号关联的新量子传感范式
 评论 ⋅  2024-01-08 17:15
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
 评论 ⋅  2023-12-04 21:22
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
 评论 ⋅  2023-11-16 10:38
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光GaN基VCSEL重要成果
 评论 ⋅  2023-11-09 17:12
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
 评论 ⋅  2023-10-18 10:44
厦门大学张洪良和上海光机所齐红基团队在深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜研究取得进展
 评论 ⋅  2023-09-08 17:55
天津大学在硅基频率源技术方面取得系列成果
 评论 ⋅  2023-08-08 10:18
南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-06-30 22:51
中科院半导体所在硅基外延量子点激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-06-26 11:53
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-25 11:17
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