国内实现7nm芯片试产 已设计出14nm“香山”芯片

日期:2021-08-27    
核心提示:4月国内实现7nm芯片试产,6月中国科学院成功设计出14nm的香山”芯片,8月中芯国际FinFET工艺已达每月1.5万片量产水平,高端芯片领域取得了阶段性成果。
 8月27日,中国互联网络信息中心(CNNIC)8月27日发布第48次《中国互联网络发展状况统计报告》。
 
报告显示,在芯片技术领域,我国芯片封装和测试行业已经基本形成完整的、自主可控的产业链,这为我国全面推进芯片制造装备技术体系的发展打下良好的基础。
 
在芯片制造方面,我国实现7nm芯片试产,取得新的发展。依托庞大的应用市场,我国近年来在人工智能芯片、基于开源指令集高端芯片、行业专用芯片设计领域同样发展迅速。
 
在芯片技术领域,2021年3月,由我国科研人员主导的国际团队宣布研发出一款新型可编程光量子计算芯片,能实现多粒子量子漫步的完全可编程动态模拟;4月国内实现7nm芯片试产,6月中国科学院成功设计出14nm的香山”芯片,8月中芯国际FinFET工艺已达每月1.5万片量产水平,高端芯片领域取得了阶段性成果。
 
此外,量子技术领域,清华大学首次在实验中完成了两个DLCZ量子中继模块之间的高效纠缠连接,是实现实用化的量子中继器的一个关键步骤。中国科学技术大学研究团队在光量子存储领域取得了重要突破,将光存储时间提升至1小时,大幅度刷新了2013年德国团队光存储1分钟的世界纪录,向实现量子U盘迈出重要一步,同时该团队首次实现多模式量子中继,实现两个吸收型量子存储器之间的可预报量子纠缠,为量子中继的发展研究开创了可行的方向,为实用化高速量子网络的构建打下基础。
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