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- 佛智芯微电子副总经理林挺宇：先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用
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- 爱思强方子文：促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术
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- 启迪半导体研发总监钮应喜：第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展
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- 西安电子科技大学微电子学院教授张艺蒙：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
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- 北方华创王显刚：化合物半导体工艺设备解决方案
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- 大连理工大学教授王德君：SiC MOS器件氧化后退火新途径——低温再氧化退火技术
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- 中电科四十八所半导体装备研究部副主任巩小亮：SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展
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- 美国俄亥俄州立大学教授Anant AGARWAL：碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨
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- 欣锐科技董事长吴壬华：SiC器件在新能源汽车产业中的应用
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- 复旦大学特聘教授张清纯：SiC器件和模块的最新进展
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- Victor VELIADIS：碳化硅大规模商业化：现状与障碍
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- 瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling：用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路
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- 厦门大学张荣教授：Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题
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- 中国工程院院士汤广福：新型电力系统与国家双碳战略
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- 博世汽车电子中国区总裁Georges Andary：宽禁带半导体，助力推动绿色出行和碳中和
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- 视频报告 2017 |西安特锐德总工程师王利强 ：电动汽车充电技术发展及SiC应用
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- 视频报告 2017---功率器件之争：宽禁带vs硅
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- 视频报告 2017-- 英国IQE集团副总裁Wayne JOHNSON ：启用先进技术
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- 视频报告 2018--美国国家工程院院士Umesh K. MISHRA教授：GaN技术带来突破性能量转化效率及射频应用新格局
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