- 昂瑞微电子副总经理黄鑫：国产突破，中国射频前端产业引领5G 芯时代
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- 山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏：电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
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- 中国电科十三所正高级工程师杜鹏搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计
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- 南京理工大学副教授黄同德：28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统
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- 能讯高能半导体副总裁裴轶：氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新
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- 复旦大学教授黄伟：宽带GaN毫米波新器件研究
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- 国博电子副总经理钱峰：5G移动通信用化合物器件研究
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- 西交利物浦大学朱昱豪：35-5V单片集成GaN基DC-DC浮动降压转换器
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- 中科院宁波材料所戴贻钧：无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化
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- 中科院苏州纳米所助理研究员钟耀宗：功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法
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- 中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国：AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制
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- 电子科技大学博士陈匡黎： p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理
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- 美国弗吉尼亚理工大学助理教授张宇昊：中高压（1-10 kV）氮化镓功率器件新进展
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- 润新微电子副总经理王荣华：后快充时代的氮化镓功率器件产业化
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- 南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
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- 南京邮电大学博士刘建华：氮化镓功率器件耐压理论与电场均匀化技术研究
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- 清纯半导体研发经理史文华：AECQ-101车规级认证的高性能1200V SiC MOS器件
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