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张辉:氧化镓晶体的生长、缺陷及掺杂
2022-01-07
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唐宁:氮化镓量子阱中电子自旋弛豫性质研究
2022-01-07
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徐童龄:基于NiO/β- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究
2022-01-07
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张亚民:基于脉冲信号导通延迟的SiC MOSFET结温检测方法研究
2022-01-07
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刘红辉:光照下AlGaN/GaN异质结沟道中载流子的输运过程研究
2022-01-07
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刘少煜:一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法
2022-01-07
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张赫朋:室温1.04 mA/cm2峰值电流密度AlN/GaN双势垒共振隧穿二极管
2022-01-07
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郑伟:4H-SiC、GaN和β-Ga2O3巴利加优值的巨量退化
2022-01-07
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陈鹏:GaN基肖特基功率器件研究新进展
2022-01-07
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吴帆正树:碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展
2022-01-07
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张昊宸:具有超高光响应(3.6×107 A/W)的AlGaN/GaN基光电三极管
2022-01-07
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Hui Guo: NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMT
2022-01-07
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吴千树:肖特基p型栅结构GaN基HEMTs中Vth的影响机理
2022-01-07
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徐尉宗:具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制
2022-01-07
178 次播放
叶建东:氧化镓基双极型异质结功率器件研究
2022-01-07
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李忠辉:新型Al(Ga)N/GaN异质结外延材料研究
2022-01-07
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刘国振:A Single Chip LiFi LED with Natural White Light and Bi-Directional Communication
2022-01-07
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李天义:SiC紫外单光子探测器及其成像阵列的器件物理与性能表征研究
2022-01-07
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刘兴华:基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射
2022-01-07
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杨伟锋:碳化硅(4H-SiC)紫外光电探测器研究现状
2022-01-07
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