- 南京大学汪正鹏：NiO/β-Ga2O3 p+-n异质结二极管深能级缺陷研究
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- 大连理工大学张赫之： 两步法在蓝宝石衬底上生长高质量β-Ga2O3厚膜的研究
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- 山东大学贾志泰：大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究
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- 湖北大学何云斌：Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究
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- 中山大学王钢：基于金属有机化学气相沉积的ε-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用
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- 中科院合肥物质科学研究院张佳辰：一种基于宽禁带半导体材料的微孔阵列同位素电池
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- 南京大学巩贺贺：氧化镓肖特基二极管热管理研究
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- 厦门大学龙浩：氧空位在异质外延β-Ga2O3薄膜MSM型光电探测器中的影响
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- 浙江大学杨树：基于界面调控的垂直型GaN功率二极管研究
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- 北京大学刘轩：基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管
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- 中电科13所高楠：MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料
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- 中科院微电子所黄森：全GaN功率器件与集成研究
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- 中科院苏州纳米所孙钱：硅基GaN电子器件研究进展
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- 南京大学周峰： 从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案
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- 中科院苏州纳米所郭小路：1200V级硅衬底GaN纵向PiN功率二极管
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- 中国科学院微电子所金昊：面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究
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- 南京大学陈鹏：GaN基肖特基功率器件研究新进展
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- 中科院宁波材料所郭炜：基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究
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- 中科院北京纳米所胡卫国：压电能带工程和柔性AlGaN/GaN HEMT
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- 西安电子科技大学张进成:势垒可调、位错免疫凹槽阳极氮化镓肖特基二极管研究
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