- 沛塬电子市场产品总监刘正阳：基于宽禁带器件的高频大功率模组应用
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- 博湃半导体市场销售总监：用于先进SiC功率模块的整体解决（核心设备/材料/工程）方案
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- 台达电子董慨：碳化硅及氮化镓功率器件在数据中心AC-DC电源上的应用及展望
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- 世纪金光副总裁于坤山： 第三代半导体助力数字能源产业发展
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- 意大利帕多瓦大学Enrico Zanoni教授：用于高效能量转换应用的GaN HEMT的深能级效应和可靠性
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- 江苏第三代半导体研究院研发部负责人王国斌：高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长
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- 正通远恒总经理刘兵武：定量阴极发光CL技术在氮化物半导体中的应用
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- 武汉大学工业科学研究院研究员袁超： 无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术
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- 北京大学副教授许福军：AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究
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- 南大光电首席科学家杨敏：新型MO源及在第三代半导体中的应用
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- 奥趋光电CTO王琦琨：PVT法同质外延AlN生长和p型掺杂面临的挑战
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- 桑立雯：利用AlN传导层在GaN衬底上外延生长金刚石薄膜及其热传输特性
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- 厦门大学李澄：钙钛矿中离子迁移的实时观测及其对LED及电池器件稳定性的影响研究
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- 亚格盛电子副总经理俞冬雷： 半导体行业对高纯电子化学品质量管理的高要求
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- 中国科学院半导体所研究员赵德刚：平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长
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- 南京大学教授修向前：基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术
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- 纳维科技总经理王建峰：应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制
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- 木林森执行总经理唐国庆：浅议“万物生长靠灯“
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- 新加坡南洋理工大学何洁教授：C4盐生植物的产量、光利用效率和营养品质--马齿苋在不同光照强度、光周期和日照积分下的室内生长
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