- 二维半导体环栅晶体管和垂直互补晶体管的阵列验证
- 2022-05-13浏览:391
- 北京理工大学在拓扑微纳光子器件领域取得重要进展
- 2022-05-12浏览:467
- 中科院苏州纳米所赵志刚团队Analytical Chemistry：量子点尺寸调控实现半导体SERS基底性能提升和无机小分子检测
- 2022-05-12浏览:638
- 第四代SiC MOSFET 突破电力电子领域边界
- 2022-05-12浏览:374
- 中科院金属所发明一种光控二极管
- 2022-05-12浏览:238
- 简述汽车芯片
- 2022-05-11浏览:282
- 25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分)：DC-DC级的设计考虑因素和仿真
- 2022-05-11浏览:456
- SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响
- 2022-05-10浏览:536
- 解析射频微波电感器件之选用玻璃陶瓷基板
- 2022-05-10浏览:232
- 半导体材料的点空位缺陷工程用于环境修复以及可持续能源生产
- 2022-05-10浏览:968
- 南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破
- 2022-05-10浏览:580
- 中科院物理所在光致VO2非易失相变及智能光电传感应用方面取得新进展
- 2022-05-10浏览:492
- 又2项，华为再公开芯片相关专利
- 2022-05-09浏览:274
- 第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆
- 2022-05-09浏览:588
- 设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机
- 2022-05-09浏览:242
- 中科院成功制备8英寸碳化硅晶体
- 2022-05-07浏览:304
- 南京大学等突破双层二维半导体外延生长核心技术
- 2022-05-07浏览:268
- 固体所在二维材料光电探测器研究方面取得新进展
- 2022-05-07浏览:229
- 国际首创！浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆
- 2022-05-07浏览:479
- SiC功率模块封装技术及展望
- 2022-05-06浏览:348