- 国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
- 2025-04-21浏览:329
- 九峰山实验室推氧化镓科研级功率单管及coupon to wafer流片平台
- 2025-04-18浏览:1446
- 山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
- 2025-04-18浏览:632
- 厦门大学-厦门市未来显示技术研究院团队在钙钛矿窄带光电探测器研究中取得重要突破
- 2025-04-14浏览:364
- 中国科学技术大学团队研制出毫秒级可集成量子存储器
- 2025-04-12浏览:411
- 中国科学院提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构
- 2025-04-11浏览:327
- 三星启动1nm工艺研发 2029年后量产
- 2025-04-09浏览:277
- 中南大学何军、钟绵增，浙江大学李京波：通过调控电场分布实现高均匀性的耐高压晶圆级4H-SiC紫外光电探测器
- 2025-04-08浏览:323
- 中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器研究中取得新进展
- 2025-04-07浏览:304
- 联合微电子中心研发硅光集成光纤陀螺芯片成功下线
- 2025-04-07浏览:296
- 中国科学院关于EDA技术创新的三篇论文被DAC2025录用
- 2025-04-03浏览:414
- 中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
- 2025-04-03浏览:400
- 全球首发！复旦团队研制二维半导体芯片“无极”
- 2025-04-03浏览:362
- 西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.发表最新研究成果
- 2025-04-02浏览:330
- 日本Rapidus拟7月完成2纳米制程工艺半导体试产
- 2025-04-02浏览:268
- 采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的（001）β-Ga2O3外延层
- 2025-03-28浏览:308
- 12英寸碳化硅衬底实现激光剥离
- 2025-03-28浏览:289
- 宁波材料所在超宽禁带半导体基日盲紫外探测领域取得系列进展
- 2025-03-25浏览:384
- 中科院DUV光源新突破！
- 2025-03-24浏览:672
- 重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
- 2025-03-24浏览:1308