9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。届时，云南鑫耀半导体材料有限公司副总经理刘汉保将受邀出席论坛，并带来《基于VGF法的低氧含量半绝缘砷化镓单晶生长工艺优化及电学性质研究》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
刘汉保，现任云南鑫耀半导体材料有限公司副总经理，高级工程师，昆明理工大学冶金与能源学院在读博士，第五批“春城计划”高层次人才。拥有30余项核心专利技术，发表学术论文多篇。获得了云南省技术发明一等奖，承担完成国家科技支撑计划、国家发改委产业振兴计划、国家工信部工业强基项目等10余项国家、省部级重大专项。主要从事空间卫星用太阳能级锗晶片及砷化镓晶片、磷化铟晶片的精密加工工艺研究，突破国外技术封锁，解决了Ⅲ-Ⅴ簇半导体材料“卡脖子”问题。通过优化工艺细节，提升产品质量和生产效率。产品获得了中国电科、华为海思等国内外著名企业的认可。
单位简介
云南鑫耀半导体材料有限公司，是一家专业从事砷化镓、磷化铟等光电半导体材料研发、生产及销售的国家级高新技术企业，是我国著名的III-V族化合物半导体材料生产商和供应商，是国内唯一一家华为战略投资入股的砷化镓、磷化铟生产企业，拥有III-V族高端光电半导体材料研发平台和产业化生产线，掌握砷化镓、磷化铟从单晶生长、晶片加工、测试检验完整的关键技术和核心工艺。公司拥有专利69项；先后承担国家级、省部级项目10余项；主持或参与制修订标准5项，软著3项。2021年获国家级“专精特新”重点小巨人、“国家级绿色工厂”、云南省制造业单项冠军企业等荣誉，2024年度获智能制造100强企业。
报告前瞻
报告题目：基于VGF法的低氧含量半绝缘砷化镓单晶生长工艺优化及电学性质研究
报告摘要：半绝缘砷化镓（SI-GaAs）晶体的质量高度依赖于其本征缺陷（如EL2深能级缺陷）和杂质（特别是碳和氧）的浓度与补偿。其中，氧杂质是导致材料电学性质不均匀和不稳定的关键因素之一。本研究采用垂直梯度凝固法（VGF），系统性地优化了晶体生长工艺以降低晶体中的氧含量。通过（1）优化氧化硼覆盖剂（B₂O₃）的脱水预处理工艺；（2）精确控制炉内压力与气氛（高纯氮气环境）；（3）设计特定的热场温度梯度以改善固液界面形状，成功制备了6英寸低氧半绝缘GaAs单晶。利用二次离子质谱（SIMS）分析表明，优化后晶体的平均氧含量降至< 5×10¹⁵ cm⁻³，较传统工艺降低了近两个数量级。霍尔效应测试结果显示，材料的电阻率稳定在（1-5） 10⁸ Ω·cm量级，电子迁移率超过5500 cm²/V·s，且晶圆片内电阻率分布均匀性（标准偏差）显著提升至< 10%。本研究为制备高性能、高一致性的半绝缘GaAs衬底提供了可靠的工艺方案。
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
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【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【拟参与单位】
中科院半导体所、鑫耀半导体，南砂晶圆，蓝河科技，天通控股，中电科十三所，南京大学，厦门大学，士佳光子，云锗红外，昆明理工大学，西安电子科技大学，中科院物理所，中电科四十八所，陕西源杰，九峰山实验室，中微公司，矢量集团，晶盛机电，连科半导体，晶澳太阳能 美科太阳能 高景太阳能 中研科精密 华夏芯智慧光子，国联万众，凝慧电子，晶湛半导体，英诺赛科，中光睿华，连城数控，云南大学，阿特斯阳光电力，山东大学，云南师范大学，中科院技物所，隆基电磁， 晶镓半导体，南砂晶圆、西安聚能超导，苏州纳维，中科院物理所，浙江大学，云南锗业，通美晶体，三安光电，电子科技大学，深圳平湖实验室，中科院长春光机所，广东工业大学，南方科技大学， 隆基绿能，合盛硅业，中光睿华，复旦大学，中国科学技术大学， 西安交通大学，江苏第三代半导体研究院， 光迅科技，镓和半导体 全磊光电 新易盛 昆明物理所，科友半导体，STR，河北同光，香港科技大学，深圳纳设 中科院苏州纳米所，中科院上海光机所，哈工大等等
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com