氧化镓（β-Ga2O3）作为继SiC和GaN之后的新一代超宽禁带半导体材料，近年来得到了广泛的关注。β-Ga2O3在材料方面优越的特性使其在电力电子器件等诸多领域有着重要的应用价值。但在功率器件应用中β-Ga2O3材料仍然存在着p型β-Ga2O3材料的研究没有获得有效的进展，且理论预测其p型掺杂难以实现，以及热导率较低等问题需要解决。
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业共同主办。南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司等单位协办。
会议设有开幕大会&主旨报告，以及硅及宽禁带半导体材料、器件及集成应用，超宽禁带材料、器件及集成应用，功率集成交叉与应用，先进封装与异构集成等4个平行论坛，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
届时，西安理工大学副教授贺小敏将受邀出席会议，并带来《氧化镓异质外延生长及材料特性研究》的主题报告，将分享最新研究进展与成果，敬请关注！
嘉宾简介
贺小敏，工学博士，在宽禁带半导体材料与器件研究领域深耕多年，主要从事碳化硅（SiC）和氧化镓（Ga₂O₃）的外延生长技术、异质结界面特性调控及其功率、高频器件的研究工作。累计以第一作者在核心期刊发表论文15篇，其中SCI收录11篇。主持/参与纵向科研项目9项，其中：国家级3项、省部级3项、厅局级及重点实验室项目3项。主持/参与横向课题9项，总经费223万元，含主持百万级项目1项。申请相关国家发明专利6项，获授权国家发明专利4项，实现技术成果转化26万元。荣获2018年度陕西省教育厅科技进步二等奖。
会议时间：5月22-24日（5月22日下午报到，23-24日会议日）
会议酒店：中国·南京·熹禾涵田酒店（南京市浦口区象贤路158号）
组织机构
指导单位：第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业
承办单位：南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司
大会主席：郭宇锋
联合主席：柏松 张波 赵璐冰
程序委员会：盛况 陈敬 张进成 陆海 唐为华 罗小蓉 张清纯 龙世兵 王来利 程新红 杨媛 杨树 张宇昊 刘斯扬 章文通 陈敦军 耿博 郭清 蔡志匡 刘雯 邓小川 魏进 周琦 周弘 叶怀宇 许晟瑞 张龙 包琦龙 金锐 姚佳飞 蒋其梦 明鑫 周春华 等
组织委员会
主 任：姚佳飞
副主任：涂长峰
成 员:张茂林 周峰 徐光伟 刘盼 王珩宇 杨可萌 张珺 王曦 罗鹏 刘成 刘宇 马慧芳 陈静 李曼 贾欣龙等
主题方向
1. 硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术
2.碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4.氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
5.模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
6.面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料；退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术；制造、封装、检测及测试设备等
7.功率器件交叉领域
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试
会议日程
备注：上述日程或有微调，最终以现场为准。
参会及拟邀单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、香港大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、明义微电子、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、国联万众、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、九峰山实验室、平湖实验室、北京工业大学、深圳大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学……等等
活动参与：
注册费2800元，5月15日前注册报名2500元（含会议资料袋，23日午餐、欢迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+南京，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
扫码预报名
备注：此码为预报名通道，完成信息提交后，需要对公汇款或者扫码支付注册费。
论文投稿及报告咨询：
贾老师 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老师 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
张老师 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老师 18601994986 linan@casmita.com
赞助、展示及参会联系：
贾先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下载：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章择优推荐到EI期刊《半导体学报（英文）》。
会议酒店
南京熹禾涵田酒店
协议价格：标间&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口区象贤路158号
邮箱：503766958@qq.com
酒店联系人
陆经理 15050562332 025-58628888
南京站到会议酒店：
开车车程40分钟
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地铁1号线-新街口-转2地铁2号线-元通站-转10号线-雨山路站-打车起步价
南京南站到会议酒店：
开车车程25分钟
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S3号线-永初路-转公交509路-滨江桂园北门-打车起步价
禄口机场到会议酒店：
开车车程1小时
公共交通：
机场-S1号线南京南站-永初路地铁站-509路公交-滨江桂园北门