基于AlGaN/GaN异质结构的绝缘栅高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件具有高频低导通、高栅极可靠性以及良好的尺寸微缩特性，有望应用于航空航天、人工智能和芯片端供电等新兴领域，为集成电路提供高能效电源管理方案。然而由于缺乏高质量的本征氧化层，介质/GaN界面存在高密度的界面态，这些界面态的缓慢充放电导致阈值电压不稳定性和动态导通电阻退化等问题，成为制约GaN基MIS-HEMT器件实用化的两大难题。
2025年5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业共同主办。南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司等单位协办。
论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
届时，中国科学院微电子研究所，研究员黄森将受邀出席论坛，并分享《高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成》的主题报告。报告将详细介绍如何提高自主超薄势垒AlGaN(<6 nm)/GaN增强型MIS-HEMT的可靠性，同时探讨其与GaN基功率和驱动控制电路集成的可行性，敬请关注！
嘉宾简介
黄森，中国科学院微电子研究所研究员，中科院大学博士生导师，IEEE高级会员，获国家自然基金优秀青年基金、中国科学院青促会优秀会员等人才项目资助。2009年博士毕业于北京大学，长期致力于高性能GaN基功率器件工艺和物理研究，在新型增强型器件设计，高压表面钝化，低界面态工艺和高可靠栅介质，以及大尺寸Si基GaN绝缘栅功率器件关键制程等方面取得若干具有国际影响力的创新成果。迄今在IEEE EDL/TED等电子器件权威期刊以及IEDM、ISPSD等微电子领域国际顶级会议上发表论文120余篇，申请美国专利8项，中国专利40余项，部分技术成果已经被企业使用。作为负责人主持承担了科技部重点研发、国家自然基金重点/面上项目、中科院前沿科学重点研究和中国科学院-裘槎基金会联合实验室资助计划等项目。2022年获得中国电子学会自然科学二等奖和中国仪器仪表学会技术发明二等奖。
中国科院微电子所宽禁带半导体研发团队是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的团队之一，建立了国内第一批化合物半导体研发线，并引领该研究领域的发展。规划方向主要依托研究所高频高压中心，开展GaN、SiC等化合物半导体在5G移动通信、毫米波、以及电力电子器件方面的研究，逐步打造成国内化合物半导体电路及器件方面的高端产品研发平台、技术转移转化平台和技术服务共享平台。
组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：南京邮电大学极智半导体产业网（www.casmita.com）第三代半导体产业
承办单位：南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：电子科技大学南京邮电大学南通研究院苏州镓和半导体有限公司
大会主席：郭宇锋
联合主席：柏松 张波 赵璐冰
程序委员会：盛况 陈敬 张进成 陆海 唐为华 罗小蓉 张清纯 龙世兵 王来利 程新红 杨媛 杨树 张宇昊 刘斯扬 章文通 陈敦军 耿博 郭清 蔡志匡 刘雯 邓小川 魏进 周琦 周弘 叶怀宇 许晟瑞 张龙 包琦龙 金锐 姚佳飞 蒋其梦 明鑫 周春华 等
组织委员会
主 任：姚佳飞
副主任：涂长峰
成 员: 张茂林 周峰 徐光伟 刘盼 王珩宇 杨可萌 张珺 王曦 罗鹏 刘成 刘宇 马慧芳 陈静 李曼 贾欣龙等
主题方向
1. 硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术
2. 碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3. 氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4. 氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
5. 模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
6. 面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料；退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术；制造、封装、检测及测试设备等
7. 功率器件交叉领域
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试
会议日程
参会与拟邀单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、明义微电子、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学等……
活动参与：
注册费2800元，5月15日前注册报名2500元（含会议资料袋，23日午餐、欢迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+南京，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
扫码预报名
备注：此码为预报名通道，完成信息提交后，需要对公汇款或者扫码支付注册费。
论文投稿及报告咨询：
贾老师 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老师 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
张老师 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老师 18601994986 linan@casmita.com
赞助、展示及参会联系：
贾先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下载：投稿模板_CSPSD2025.docx 投稿截止到4月25日、文章择优推荐到EI期刊《半导体学报（英文）》。
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