2025年4月29日，由北京华峰测控技术股份有限公司牵头起草的3项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制，正式面向第三代半导体产业技术创新战略联盟成员单位征求意见，为期一个月。根据联盟标准化工作管理办法，2025年4月29日起开始征求意见，截止日期2025年5月29日。

征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。

征求意见标准列表（No.1）

T/CASAS 038—202X《SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法》 

本文件规定了SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）的测试方法，包括单脉冲雪崩击穿能量（EAS）和重复雪崩击穿能量（EAR）的测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。 

本文件适用于SiC MOSFET分立器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、实验室研发等阶段的UIS测试。对于SiC MOSFET功率模块，可在将单管封装成模块前参照本文件对单管进行测试。

 

T/CASAS 039—202X《SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法》 

本文件规定了SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性的测试方法，包括Ⅰ类、Ⅱ类、Ⅲ类短路的测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。 

本文件适用于SiC MOSFET单管功率器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、实验室研发等阶段的短路可靠性测试。

  

T/CASAS 040—202X《SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法》 

本文件规定了SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法，包括测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。

 本文件适用于SiC MOSFET功率模块在FT（Final Test）、实验室研发等阶段的短路可靠性测试。

 

北京华峰测控技术股份有限公司

北京华峰测控技术股份有限公司（以下简称“华峰测控”），作为国内最早进入半导体测试设备行业的企业之一，已在行业深耕近三十年，始终聚焦于模拟和混合信号测试设备领域。 

华峰测控凭借产品的高性能、易操作和服务优势等特点，在模拟及数模混合测试设备领域多次打破了国外厂商的垄断地位，在营收和品牌优势方面均已达到了国内领先水平。华峰测控产品不但在中国境内批量销售，还外销至中国台湾、美国、欧洲、韩国、日本及东南亚等境外半导体产业发达地区。截至2024年5月底，华峰测控产品全球累计装机量突破7000台。 

华峰测控目前已成为国内前三大半导体封测厂商模拟测试领域的主力测试平台供应商，拥有着上百家集成电路设计企业客户资源，同时也与超过三百家以上的集成电路设计企业保持着紧密的业务合作关系。未来，中国自主芯片产业的快速发展将为华峰测控高速、持续的成长提供重大发展机遇。