当前，算力已成为推动我国经济高质量发展的重要支撑。算力的全方面崛起，需要电力先行，这给人工智能时代的数据中心能源发展提出了更严格的要求。XPU高性能算力对能源的巨大需求，催生了高效功率转换器的快速发展，对于功率半导体器件及集成技术的发展既是机遇也是挑战。针对AI算力芯片的大电流密度供电需求，供电模块以驱动功率器件 DrMOS（Driver+PowerMOS）的形式，极大地优化了功率密度。为实现更高能效的功率转换器，低压大电流功率半导体技术的发展至关重要。
2025年5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业共同主办。南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司等单位协办。
论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
届时，电子科技大学，教授乔明将受邀出席论坛，并分享《用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战》的主题报告。报告将面向DrMOS的发展趋势与技术挑战，分析DrMOS中核心的硅基功率分立器件、集成器件以及第三代半导体氮化镓的电学特性，探讨载流子浓度、迁移率、寄生电容等参数的折衷关系，延续摩尔定律在高频、高效与高可靠功率器件及集成技术领域的发展。敬请关注。
嘉宾简介
乔明，博士，二级教授，博士生导师，国家级人才计划入选者。长期从事功率半导体器件，功率高压集成技术，功率高压集成电路，功率器件可靠性，抗辐射功率器件及高压集成技术，功率器件建模等方向研究，研究成果已产生显著的社会和经济效益。曾获国家科技进步二等奖2项、省部级科技奖励5项，海思模拟开发部“最佳技术合作伙伴奖”，华为火花奖。发表论文200余篇，以第一发明人授权中、美发明专利100余项。功率半导体领域旗舰会议ISPSD TPC，《Microelectronics Journal》等期刊编委。
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab，PITeL）隶属于集成电路科学与工程学院，支撑建设有“先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心”、“四川省功率半导体技术工程研究中心”，是“电子薄膜与集成器件全国重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。现有18名教授/研究员、9名副教授， 280余名在读全日制硕士研究生和80余名博士研究生，被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。
组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：南京邮电大学极智半导体产业网（www.casmita.com）第三代半导体产业
承办单位：南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：电子科技大学南京邮电大学南通研究院苏州镓和半导体有限公司
大会主席：郭宇锋
联合主席：柏松 张波 赵璐冰
程序委员会：盛况 陈敬 张进成 陆海 唐为华 罗小蓉 张清纯 龙世兵 王来利 程新红 杨媛 杨树 张宇昊 刘斯扬 章文通 陈敦军 耿博 郭清 蔡志匡 刘雯 邓小川 魏进 周琦 周弘 叶怀宇 许晟瑞 张龙 包琦龙 金锐 姚佳飞 蒋其梦 明鑫 周春华 等
组织委员会
主 任：姚佳飞
副主任：涂长峰
成 员: 张茂林 周峰 徐光伟 刘盼 王珩宇 杨可萌 张珺 王曦 罗鹏 刘成 刘宇 马慧芳 陈静 李曼 贾欣龙等
主题方向
1. 硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术
2. 碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3. 氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4. 氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
5. 模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
6. 面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料；退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术；制造、封装、检测及测试设备等
7. 功率器件交叉领域
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试
会议日程
时间：2025年5月22-24日
参会与拟邀单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、明义微电子、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学等……
活动参与：
注册费2800元，5月15日前注册报名2500元（含会议资料袋，23日午餐、欢迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+南京，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
扫码预报名
备注：此码为预报名通道，完成信息提交后，需要对公汇款或者扫码支付注册费。
论文投稿及报告咨询：
贾老师 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老师 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
张老师 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老师 18601994986 linan@casmita.com
赞助、展示及参会联系：
贾先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下载：投稿模板_CSPSD2025.docx 投稿截止到4月25日、文章择优推荐到EI期刊《半导体学报（英文）》。
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